非晶态硒（α-Se）属于无机弱电导材料，被认为是X射线医学成像和无损检测方面最有前途的探测材料之一，其载流子特性对应用至关重要。本文在恒温条件下制备了非晶态硒本征薄膜，利用 SEM、XRD 测试了薄膜的微观形貌和晶体结构，利用渡越时间（TOF）方法研究了温度、取样电阻及光脉冲能量对载流子迁移率的影响。结果表明：在298～338K 的温度范围内，非晶硒的载流子输运规律符合浅陷阱模型；取样电阻不大于5 kΩ，光脉冲能量不大于3.5 μJ 时，载流子渡越时间保持恒定，测试结果可靠。