硅通孔技术（TSV）是当前非常热门的高密度封装技术，但由于常规薄膜沉积技术很难在高深宽比的硅孔内沉积铜、钨等金属种子层，硅通孔技术中存在深硅孔金属化困难的工艺问题。通过对倾斜溅射时铜原子二维非对心碰撞前后入射角度的变化关系进行模拟计算发现，当原子碰撞有能量损失时，入射到硅孔内的铜原子角度会发生改变，有助于其沉积在硅孔深处。本文利用负偏压辅助多个铜靶共焦溅射的方式，在不同深宽比的硅盲孔中沉积铜种子层，验证了该方法的可行性，并通过三靶共焦溅射成功在深宽比8:1的硅孔内实现了铜种子层的沉积。