采用磁控溅射在 96 氧化铝陶瓷基板上制备了 TiW/Ni/Au 和 Ti/Ni/Au 结构的键合薄膜层，通过 调节溅射时长对金层厚度进行控制，模拟光通讯模块中金丝键合工艺并对薄膜进行了键合性能评估。结 果表明，Ti/Ni/Au 结构具有更加良好的键合效果。键合推拉力的大小随着金层厚度的增加而变化。在≤2滋m厚度范围内，拉力随金层厚度的增加出现波动，保持在 7.5gf±3%（1gf=9.81×10E-3N）；推力则随着膜厚的增加先增大后减小，继而保持波动，当厚度为 930nm 时，推力最大，为 78.68gf，厚度大于 1滋m 后，拉力保持在 72.03gf±1.8%。数据统计分析结果显示，推拉力的离散程度均随着金层厚度的增加出现先降低后升高的趋势。金丝键合性能与基体上复合金属薄膜层的结构、厚度均存在密切关系，金层厚度过小不易于金 丝紧密结合，而厚度增加到一定程度后则降低了与现有键合工艺的匹配。由此可见，在小于 2滋m 范围内通过减小金层厚度可以在保证键合质量的同时有效节约成本。