原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）是基于自限制界面反应的薄膜生长技术。采用原子层 技术可以制备结构致密、高保形、低缺陷密度、性能优异、均匀性好的薄膜。氧化铝是原子层沉积最常见的薄膜（ALD-Al₂O₃），具有高透明度、高禁带宽度、高介电常数、高阻隔性以及良好的化学和热稳定性，因而作为钝化层、气体渗透阻隔层和栅极介电层等广泛应用于太阳能电池钝化、OLED 封装、有机太阳能电池介质层、印刷电子和微电子封装等领域。本文综述了 ALD-Al₂O₃原理、在线诊断和应用发展现状，主要包括氧化铝薄膜的生长机理、单体选择、沉积方法、原位诊断，同时对 ALD-Al₂O₃ 应用以及未来的发展趋势进行预测。