卷绕蒸镀设备偏置线圈设计及参数分析

作者:尹翔1,陈世斌1,张艳鹏1,刘旭1,龙连春2 (1. 北京北方华创真空技术有限公司,北京100015;2. 北京工业大学,北京100124)

关键词:卷绕蒸镀;电子束;偏置线圈;参数优化

摘要:

在卷绕蒸镀设备生产过程中,电子束引起的较高能二次电子会影响复合集流体的质量。较高能二次电子的发射率与电子束的入射角在一定范围内成正比,因此利用额外磁场可以使电子束轨迹发生偏置,从而减小入射角。本文依靠仿真软件及 CAD 建模技术对电磁偏置线圈进行了开发设计,通过参数优化,得到匹配的磁场强度以及电子偏置轨迹,成功完成电子偏置线圈的设计。同时对电磁线圈参数对偏置的影响进行了对比分析。结果表明:增加电磁线圈的电流、匝数、尺寸、数量,以及减少线圈与电子枪的距离,都能减少电子束偏置半径。通过优化这些参数可以得到预定入射角度,实现低的二次电子发射率,为将来设备的迭代升级提供设计依据。

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