从20世纪60年代 GaAs 被首次发现具有负的电子亲和势起，负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料，负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级，使得材料导带中的电子更易于从表面发射到真空中，因此该类型材料成为电子发射的理想材料。本文从定义、主要材料分类以及在冷阴极中的应用三个部分介绍了负电子亲和势材料，并对该材料应用的瓶颈和未来发展方向做了简要总结。