氧化物薄膜晶体管（TFT）是有源矩阵有机发光二极管的核心驱动元件，是现今开发新型显示器的关键技术，在平板显示方面具有广阔的应用前景。但氧化物半导体中存在大量由氧空位引起的缺陷态，从而影响了TFT 器件的性能及稳定性，成为其商业化进程的瓶颈。本文通过磁控溅射方法制备了IZO TFT，并将其进行O₂等离子体处理，研究了离子体处理对IZO 薄膜及TFT 性能的影响。结果表明：O₂等离子体处理后IZO TFT 迁移率由8.2cm²/（V•s）提高到9.5cm²/（V•s），阈值电压由-3.2V 减小到-5.1V，亚阈值摆幅由0.45V/decade 减小到0.38V/decade，开关比由2.3×10⁷提高到4.4×10⁷；在光照负偏压下，器件的阈值电压漂移量从7.1V 降低到3.2V；在100℃老化条件下，器件的阈值电压漂移量从12.5V 降低到6.4V；O₂等离子体处理可以有效提高IZO TFT 的电学性能和稳定性。