氧气压强对脉冲激光沉积法制备的CuO 薄膜性能的影响*

作者:向玉春,朱建雷,袁亚 (咸阳职业技术学院,陕西西安712000)

关键词:氧化铜薄膜;半导体;脉冲激光沉积法;电学性能;光学性能

摘要:

采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明:在氧压为3×10-3Pa,3~5Pa,和8~12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu2O相、混合Cu2O/CuO相和单一CuO相;当氧压从5Pa增加到8Pa时,CuO薄膜的取向从(111)变化到(002);霍尔测试表明,在3~5Pa下沉积的CuO薄膜为p型,而在8~12Pa下沉积的薄膜为n型;氧气压强为5Pa时,薄膜电阻率较小,载流子浓度最大。

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