采用高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）工艺制备出铜（Cu）箔，研究了溅射电压对Cu 箔微观结构和性能的影响。结果表明：在溅射电压700～950V范围内，Cu箔均呈现出明显的（111）晶面择优取向，其晶粒尺寸在27.7～36.5nm之间，相对密度在96.1%～98.5%之间，明显优于普通直流磁控溅射制备的Cu箔；随着溅射电压的增大，Cu箔由韧性逐渐向脆性转变，其电阻率逐渐降低至2.38μΩ•cm，接近纯Cu的本体电阻率。