本文采用兆欧表测量电阻的方法，研究了中频磁控溅射氧化硅（SiO_x）薄膜的绝缘性。利用XRD和FTIR 对薄膜进行了表征。结果表明：溅射产物为无定型SiO_x；兆欧表探针接触薄膜瞬间的电阻R_i 与FTIR 图谱位于900cm^-1波数附近的吸收峰a和760cm^-1附近的吸收峰b相关；随着R_i 增加，吸收峰b红移，a与b的峰高比上升，SiO_x 薄膜含氧量增大；R_i 偏低的异常品经过250℃热处理，可达到正常产品的阻值范围，镀膜腔室内氧浓度的异常变化是生产过程中SiO_x 薄膜绝缘性下降的原因。