利用直流磁控溅射法在有机玻璃基底上沉积掺杂氧化铟锡（ITO）透明导电薄膜，在室温条件下，研究了溅射功率、溅射气压、靶基距和氧氩流量比等工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。结果表明，ITO薄膜的透光率随溅射功率和靶基距的增大而减小，当溅射功率为110W、靶基距为70mm时，ITO薄膜的透光性和导电性较为优良。在近紫外光波段和近红外光波段，ITO薄膜的透光率随溅射气压的增大而减小。当氧氩流量比为4:30时，ITO薄膜在500nm到600nm可见光范围内的透光性和综合性能最好。