针对脉冲激光法和升华法制备SiC薄膜时，沉积速率比较低、薄膜厚度不均匀等问题，本文采用真空直流磁控溅射技术，利用一种高含碳量的SiC靶材，在平面玻璃衬底表面沉积SiC薄膜，通过改变直流电源功率、溅射气压，研究了不同参数对薄膜沉积速率、薄膜厚度均匀性的影响。采用台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）分别对薄膜厚度、横截面形貌和Si、C含量进行检测表征，从而得到最佳工艺参数。实验结果表明：在相同的溅射气压条件下，当溅射功率为2000W、电压为420V时，薄膜沉积速率达到15.39nm·min^-1；相同的直流电源功率条件下，当溅射气压为0.8Pa 时，沉积薄膜的厚度均匀性较好，变异系数在3%以内，同时薄膜沉积速率达到10.67nm·min^-1；采用直流磁控溅射技术所制备的薄膜内部致密无孔洞，Si、C总含量在99%以上。