为了研究 ITO 薄膜在宽角度电磁屏蔽激光窗口中的应用效果，采用双离子束溅射镀膜技术在 不同工艺条件下制备了 ITO 薄膜，根据薄膜的光电性能测试结果，分析了氧气流量、辅助离子源、基片烘烤温度等工艺条件对 ITO 薄膜透光性和导电性的影响。用 Ti₂O₃和 SiO₂ 作为高、低折射率材料，ITO 薄膜作为电磁屏蔽膜层，在 K9 玻璃基片上设计了对 2～18GHz 电磁波高效屏蔽的 0°～45°宽角度入射的1064nm 激光窗口膜层，并利用双离子束溅射技术在合适的工艺条件下完成了薄膜的制备。测试结果显 示，制备的薄膜透光性和电磁屏蔽性能良好，具有一定的耐酸性，适合作为高效电磁屏蔽、0°～45°宽角度入射的 1064nm 激光窗口膜层。