本文总结了用于真空微波电子器件的浸渍阴极的蒸发规律，通过分析提出了浸渍阴极预处理 工艺，建立了超高真空装置。在超高真空环境下，将浸渍阴极灯丝加热，使阴极温度升高到 1100~1200℃，保 持 1~200h（温度和时间依不同微波管型而定）。预处理工艺解决了浸渍阴极发射与蒸发的矛盾，现已建立数十台、几十个工位的浸渍阴极预处理设备，大大提高了微波真空电子器件中电子枪的绝缘性能，减小了 栅发射。浸渍阴极预处理工艺还可以加速检验热子的可靠性，从而避免微波器件在使用过程中才发现热 子短路、热子缺陷及热子焊接点不牢等因素造成热子断路的问题，提高了微波真空电子器件中热子的可靠性。