氧化镓（Ga₂O₃）是一种宽禁带的半导体材料，超大的禁带宽度（4.9eV）、较高击穿电场强度和高热稳定性，使其成为一种很有应用前景的材料。本文以 p 型硅纳线阵列（p-SiNWs）为衬底，使用磁控溅射法制备了 β-Ga₂O₃/p-SiNWs 异质结，探究了其光学与电学性质。与纯 Si 相比，p-SiNWs 表现出优良的“陷光”特性，其反射系数约为纯 Si 的 1/6，且随着 p-SiNWs 长度的增加，反射系数逐渐降低。室温下光致发光 光谱（PL）测试发现，异质结在 551nm 附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga₂O₃/p-SiNWs 异质结具有明显的整 流特性，在 V=1.40V 时其整流系数高达 1724，随着 p-SiNWs 长度增加异质结理想因子逐渐增加，最佳理性因子为 1.98。通过计算 logI-logV 图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga₂O₃ 薄膜的结晶度，从而提高异质结的电学特性。