本论文展示了一种可调谐硅基外腔激光器，调谐范围在 C 波段（1540~1560nm），该激光器使用端面直接耦合（edge coupling）方式将 SOA（Semiconductor Optical Amplifier）与硅基 Si₃N₄ 波导集成。通过设计硅基 Si₃N₄ 波导微环结构行成激光器外腔，激光器边模抑制比（side-mode suppression，SMSR）可达 64dB。使用热调方式对微环进行等效折射率调节，实现了激光器粗调（coarse tune）与精调（fine tune）相结合，调节精度可达 0.04nm。