本文采用射频磁控溅射法在 Si （100） 和石英衬底制备纯 β-Ga₂O₃ 和不同浓度的 Si 掺杂 β-Ga2O3 薄膜，并且研究 Si 掺杂对 β-Ga₂O₃ 薄膜结构、表面形貌和光学性质的影响。X 射线衍射（XRD）测试结果表明，Si 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜都未出现新的衍射峰，随着 Si 浓度的增加，β-Ga₂O₃ 的特征峰（111）逐渐向大角度方向移动。X 射线光电子能谱（XPS）表明 β-Ga₂O₃ 薄膜中成功掺入了 Si 元素。本文使用原子力显微镜（AFM）表征薄膜的表面形貌，结果表明薄膜表面的粗糙度随着 Si 浓度增加呈现单调递增的趋 势。紫外 - 可见光（UV-visible）透射光谱表明薄膜均在可见光波段具有高透光率，薄膜的光学带隙随 Si 掺 杂浓度的变大而变大。Si 掺杂实现了 β-Ga₂O₃ 的带隙可调，表明 Si 是一种有潜力的掺杂剂。