柔性电子器件因其柔韧性好、集成度高、可设计性强和在可穿戴方面的潜在应用，成为近年来 微电子的研究热点之一。目前，研究重点进展到器件在疲劳过程中的具体失效情况及在不影响电学性能的同时提高柔性，本文从基底材料类型、器件电学性能影响因素和疲劳损伤等方面进行综述。首先，归纳了不同基底材料与器件类型；其次，对比了膜 / 基结构器件的电学性能与界面裂纹监测；重点讨论了拉伸、弯折对薄膜失效过程的影响及微裂纹萌生、扩展和饱和阶段的主要特点。结果表明：裂纹失效形式有张开型、滑开型与撕开型三类；加载速率使脆韧性断裂相互转换并分别对应发生穿晶与沿晶裂纹；基底刚度与裂纹颈缩呈正相关。进一步分析发现疲劳损伤大小与机械形变位错有关，结合模型验证了拉伸与弯 折均符合此结论。未来应致力于提高材料的膜基匹配与耐拉弯性，完善原位观测并扩展直接观测器件疲劳失效机理的手段，对裂纹萌生进行可调控，提高理论模型精度并与疲劳实验更好结合，以期为开发超柔 抗疲劳电子器件提供基础。