采用直流磁控溅射法分别在预热的和室温下的玻璃衬底上制备了 AZO 薄膜，并对室温下制备 的 AZO 薄膜进行了真空退火。使用 X 射线衍射仪、四探针测试仪、紫外 - 可见分光光度计和霍尔测试仪对这两种工艺条件下制备的 AZO 薄膜进行了表征，比较研究了两种热处理方式———衬底预热和真空退火对所制备的 AZO 薄膜结构和光电性质的影响。结果表明，衬底预热条件下制备的 AZO 薄膜有效抑制了（101）多晶相的形成；室温条件下制备的 AZO 薄膜有较多的（101）多晶相形成，经过真空退火热处理后，仍未能有效消除 （101） 多晶相。衬底预热制备出了厚度为 380nm、方阻为 20Ω/□的 AZO 薄膜，400～1200nm 波段的平均透射率达到 81.45%。真空退火后的 AZO 薄膜厚度为 403nm、方阻为 33Ω/□，400～1200nm 波段的平均透射率达到 81.9%。