本文采用射频磁控溅射方法在石英和高阻硅衬底上制备纯 β-Ga₂O₃薄膜和不同掺杂浓度的 Mg 掺杂 β-Ga₂O₃薄膜，研究了薄膜的结构、光学和电学性质。X 射线衍射测试结果表明，在我们的掺杂浓度内，Mg 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜没有出现其他晶相的衍射峰，随着 Mg 掺杂浓度变大，薄膜的（401）和（601）衍射峰强度变弱。使用 X 射线光电子能谱测试薄膜中各元素的结合能和化学态。紫外 - 可见透射光谱测试结果表明薄膜在测试波段平均透光率高达 80%以上，薄膜的带隙宽度随着 Mg 掺杂浓度变大而变大。霍尔效应测试结果表明我们采用射频磁控溅射方法制备的 Mg 掺杂 β-Ga₂O₃薄膜的导电类型为 p 型，载流子浓度由 3 .76×10¹⁰cm^-3 增加到 1 . 89×10¹³cm^-3，说明 Mg 掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜是一种很有潜力的 p 型半导体 材料。