本文采用磁控溅射法制备Si 元素掺杂的ZnSnO 薄膜（SZTO），研究Si 元素掺杂对薄膜样品性 能的影响。XRD 衍射图谱表明，不同Si 掺杂含量的薄膜均呈现非晶态。利用原子力显微镜表征薄膜的表面形貌，随着Si 含量的增加，薄膜样品的表面粗糙度呈现出单调递增的趋势，Si 掺杂使薄膜样品的平整度降低。透射谱测试表明不同Si 含量掺杂的SZTO 薄膜在可见光波段均具有较高的透射率，利用Si 元素掺杂可以提高在可见光范围的透射率，并有效增加ZnSnO（ZTO）薄膜的光学带隙。PL 谱测试表明，随着Si掺杂浓度的升高，PL 谱的强度呈现出不同程度的增大，且展宽变宽，这表明Si 掺杂的ZTO 薄膜样品中引入了一些深能级缺陷。