通过脉冲激光沉积的方法在玻璃衬底上制备CuO 薄膜，并研究了衬底温度对薄膜结构，光学以及电学性能的影响。结果表明：在不同衬底温度下得到的薄膜均为CuO，并且在红外区域，薄膜的透过 率均高于65%。温度升高到300℃，具有较高的结晶质量和红外光透过率，薄膜的电学性能也随之变好，出现最低电阻（2.33×10²Ωcm），较高的载流子浓度5.28×10¹⁶ 1/cm³。最重要的是在500℃时氧化铜实现了由p 型向n 型的转变。