以高纯石墨为靶材，Ar、N₂ 为溅射和反应气体，采用直流磁控溅射法，制备了一系列不同 N 掺 杂量的氮化碳薄膜。利用 XRD、SEM、分光光度计、高阻抗率计等检测手段对薄膜的成分、形貌、透过率、电阻率等进行表征。结果表明：CN 薄膜已初具晶型；随着溅射腔室中 N₂ 含量的增加，薄膜中 N 含量先增加后减少最后趋于稳定状态，薄膜的电阻率维持在（10^-5~10¹⁵）Ω·cm 范围内变动；透过率基本维持在 85％~91％之间。N 的掺入对薄膜中的 sp3 杂化 C 起到了稳定的作用。