本研究主要利用射频耦合直流磁控溅射技术，在室温下用 TiO₂ 陶瓷靶在玻璃基底上制备 N 掺杂到 TiO₂薄膜。同时也利用光学轮廓仪、X 射线衍射、扫描电子显微镜、X 射线光电子能谱和紫外可见光分光光度计研究了不同射频功率占比对薄膜的微观结构和光学性能的影响。实验结果表明：随着射频功率的增加，薄膜的沉积速率增加，薄膜的结晶性变优，晶粒尺寸变大，N 掺入的比例增加，Ti 的价态出现未完全氧化的 Ti3+，薄膜的禁带宽度也相应地减小，N 掺杂 TiO₂ 薄膜的吸收边扩展到可见光区域。