为了满足高频率、小型化真空微波器件的需求，寻找合适的阴极材料和激光系统,开展了用于微波真空电子器件的光阴极研究,提出了一体化的光电阴极制备方法，通过加热具有扩散阻挡层的发射 物质存储室，提供受控的光电发射层，以代替活性物质蒸发损失，从而延长阴极的使用寿命，并可以从中毒、暴露大气过程中恢复。在超高真空系统内制备了 Cs₃Sb 光电阴极，利用连续激光器测得其量子效率为0.145% (0.53μm )，在能量为 0.37W 的连续激光照射下,测得发射电流密度达 29.2mA/cm²。光电阴极在高强度的激光作用下被损坏后，重新加热激活，光电发射可以得到一定的恢复并长时间稳定，说明这种光电阴极具有可重复激活的特点，有望成为微波真空电子器件的理想电子源。