本文通过直流磁控溅射法在 96 氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜，然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中，分别对比 HNA 刻蚀体系、TMAH 刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果，从中优选最佳刻蚀体系，并进一步对其进行工艺参数优化。在 CNA 含量为 30%的催化 氧化刻蚀体系（CNA：HNO₃:H₂O）中，刻蚀温度 50℃，刻蚀速率约为 4nm/s 时，刻蚀效果最佳，与设计尺寸偏差小，可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽（15±1）μm，满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。