报道了一种新型 PE-ALD 工艺用于沉积碳化钴薄膜。以脒基钴为前驱体，在氢等离子体作用下，成功制备了碳化钴薄膜。薄膜厚度与沉积循环关系显示薄膜生长为理想的逐层生长行为，100℃下薄 膜生长速率为 0.066 nm/cycle。利用 XRD 和 TEM 对所沉积的薄膜进行表征，结果表明薄膜是多晶的六方晶系 Co3C 晶体结构。XPS 的结果表明沉积的碳化钴膜具有高纯度。在深宽比高达 20:1 的硅基底沟槽中研究碳化钴薄膜的保型性，显示该 PE-ALD 工艺可以沉积厚度均匀、光滑且高度保形的碳化钴薄膜，这有利于在高深宽比的 3D 结构中的涂覆并且在负载催化剂领域具有潜在应用。