采用磁控溅射法分别在 Si 片和玻璃片上制备了 HfO₂ 薄膜，并用 SEM、XRD、XPS、紫外可见分 光光度计和 HP4284A 精密 LCR 测试仪对 HfO₂薄膜的表面形貌、微观结构、组成成分、光学特性和电学特性进行了分析。得出了以下结论：HfO₂ 薄膜表面较为平坦致密，晶粒大小均匀，晶粒尺寸大部分在10nm~20nm 之间；薄膜为多晶结构，O 和 Hf 的原子比接近 2:1，且随着氩氧比的增加，O 和 Hf 的原子比呈 上升趋势；薄膜在 400nm~800nm 波长范围内光的透射率都在 85%以上，折射率都在 2.0 以上；漏电流较小，介电常数在 16 以上。高介电 HfO₂ 材料适合代替传统 SiO₂ 做栅介质材料。