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磁控溅射反应法制备 TiN 纳米薄膜

作者：王槐乾，姜宏伟（牡丹江师范学院，黑龙江牡丹江 157000）

关键词：TiN;磁控溅射;N ₂流量;N ₂气压

摘要：

为研究 N ₂ 压强以及流量在磁控溅射中对 TiN 薄膜生长的影响，通过改变 N ₂ 气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为 300℃，时长 2h 下生长 TiN 薄膜。采用电子扫描显微镜（SEM）表征薄膜形貌，获得不同的 TiN 薄膜微观图像。通过改变工艺参数，可以制备具有不同微观形貌的 TiN 薄膜。

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