使用射频磁控溅射，以高纯度碳靶材和高纯度甲烷为碳源，在不同射频功率下制备了类金刚石 （DLC）薄膜。利用扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪和显微硬度计测试了薄膜的结构与性能。研究结果表明：制备的薄膜致密均匀，随着射频功率的增大薄膜生长速度增大，C 原子含量增大；在 200W 功率制备的薄膜 sp³含量高，其分子结构与性能也就更偏向于金刚石，薄膜维氏硬度达到 1038.26 MPa。同时发现，随制备功率的增加，DLC 薄膜硬度呈先增大再减小的趋势，薄膜石墨化程度增大。