本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的 Mg 掺杂氧化镓薄膜，并将制备的样品在 1000℃条件下进行后退火处理，以研究退火前后 Mg 掺杂 Ga ₂ O ₃ 薄膜的性质变化。XRD 结果表明，退火后的（004）、（202）和（120）峰从无到有，（401）、（601）和（122）峰由强变弱，表明退火改变了 Mg 掺杂 Ga ₂ O₃ 薄膜的结构。AFM 结果表明，退火后的薄膜表面均方根粗糙度由 1.3637nm 增大到 17.1133nm。EDS 结果表明，退火处理后的 Mg 元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明，退火前薄膜在200-1500nm 波长范围内的平均光透过率较低，大约为 80%，退火后平均光透过率明显提高到 90%以上，此外薄膜光学吸收边蓝移，带隙宽度变大，表明退火有助于改善薄膜结构，增强光透性。光致发光谱实验结果表明，相比较退火处理后的薄膜，退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计，这说明退火可显著改变Mg 掺杂 Ga₂ O₃薄膜的光致发光特性。