本文采用直流射频耦合磁控溅射技术，在玻璃基底上室温沉积 AZO 薄膜，将射频电源功率从0W 增加到到 200W。通过 X 射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了 AZO 薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明，直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的 AZO 薄膜，且射频溅射功率对 AZO 薄膜光电性能有显著的影响，随着射频功率的提高，AZO 薄膜致密性增加，粒子逐渐变大，薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在射频功率为 200W 时，室温制备的 AZO 薄膜电阻率达到最低 5.39E-4Ω·cm，薄膜平均可见光透过率达到 82.6%。